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压敏电阻的物理特性：

ＺｎＯ　压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像　ＺｎＯ　微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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      限制电压比

      限制电压比是指在通流能力实验中通过特定电流时加在压敏电阻器两端的电压Up与压敏电压U1mA的比值。它体现了压敏电阻器在大电流通过时的非线性特性，限制电压比越小，越能起到保护电路的作用。通流值和限制电压比一同反映了压敏电阻工作特性的好坏，即是压敏电阻通流值越大越能吸收浪涌电流，限制电压比越小，分流作用就越明显，保护特性就越好。

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